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Die Laufzeit der Halbleitertrioden und ihre Wirtschaftlichkeit ist es in oftmals mehr, als bei den elektronischen Lampen. Auf Kosten wessen die Transistoren die breite Anwendung in der Mikroelektronik — den Körper - Video - audio- - der Funkausrüstung und, natürlich, in den Computern gefunden haben. Sie ersetzen die elektronischen Lampen in vielen elektrischen Ketten der wissenschaftlichen, industriellen und Haushaltsapparatur.

In - die Transistoren mit dem eingebauten Kanal wird der durchführende Kanal, mit dem technologischen Weg hergestellt, bildet sich bei der Anstrengung auf dem Verschluss gleich der Null. Den Strom des Abflusses kann man verwalten, die Bedeutung und die Polarität der Anstrengung zwischen dem Verschluss und der Quelle ändernd. Bei einiger positiver Anstrengung der Verschluss - die Quelle des Transistors mit - den Kanal oder die negative Anstrengung des Transistors mit n - den Kanal hört der Strom in der Kette des Abflusses auf. Diese Anstrengung nennen als die Anstrengung (U.). - kann der Transistor mit dem eingebauten Kanal wie im Regime der Bereicherung, als auch im Regime der Verarmung des Kanals als die Hauptladungsträger arbeiten.

Wir betrachten die Einrichtung und das Prinzip der Handlung des Feldtransistors MOP - die Struktur (das Metall - das Oxyd - den Halbleiter), der die breite Anwendung als Hauptelement aller modernen integrierten Integralschaltkreise der Struktur gefunden hat.

Bei - der Transistoren aller Typen leistet das Potential der Unterlage bezüglich der Quelle den bemerkenswerten Einfluss auf das Volt-ampernyje die Charakteristiken und entsprechend die Parameter des Transistors. Dank der Einwirkung auf die Leitungsfähigkeit des Kanals kann die Unterlage die Funktion des Verschlusses erfüllen. Die Anstrengung auf der Unterlage bezüglich der Quelle soll solche Polarität haben, damit sich Ó-» der Übergang die Quelle - die Unterlage in entgegengesetzter Richtung einreihte. Dabei gilt - der Übergang der Kanal - die Unterlage wie der Verschluss des Feldtransistors mit dem Verwalter - vom Übergang.

Die Steilheit der Charakteristiken des Feldtransistor S - die Beziehung der Veränderung des Stromes des Abflusses zur Veränderung der Anstrengung auf dem Verschluss beim Kurzschluss nach dem Wechselstrom auf dem Ausgang des Transistors im Schema mit der allgemeinen Quelle.

Der Anfangsstrom des Abflusses I. - der Strom des Abflusses bei der Anstrengung zwischen dem Verschluss und der Quelle, gleich der Null und die Anstrengung auf dem Abfluss, der oder übertretenden Anstrengung der Sättigung gleich ist. Der restliche Strom des Abflusses I. - der Strom des Abflusses bei der Anstrengung zwischen dem Verschluss und der Quelle, übertretend die Anstrengung. Der Strom des Ausfließens des Verschlusses I. - der Strom des Verschlusses bei der aufgegebenen Anstrengung zwischen dem Verschluss und den übrigen Schlussfolgerungen, die untereinander geschlossen sind. Der Rückstrom des Übergangs der Verschluss - der Abfluss I - der Strom, der in den Ketten den Verschluss verläuft - der Abfluss bei der aufgegebenen Rückanstrengung zwischen dem Verschluss und dem Abfluss und den abgestellten übrigen Schlussfolgerungen. Der Rückstrom des Übergangs der Verschluss - die Quelle I - der Strom, der in den Ketten den Verschluss verläuft - die Quelle bei der aufgegebenen Rückanstrengung zwischen dem Verschluss und der Quelle und den abgestellten übrigen Schlussfolgerungen.

Die Randfrequenz klärt sich nach der Formel f. = 159/S11i, wo f = die Frequenz, das MHz; S - die Steilheit der Charakteristik des Transistors, ma/in; 11 - die Kapazität zwischen dem Verschluss und der Quelle beim Kurzschluss nach dem Wechselstrom der Abgabekette,.

Die Eingangsleitungsfähigkeit klärt sich von der Leitungsfähigkeit des Grundstücks der Verschluss - die Quelle. = 11 + 12; die Abgabeleitungsfähigkeit - die Leitungsfähigkeit des Grundstücks der Abfluss - die Quelle = 22 + 21; die Funktionen der Sendung - die Steilheit das Volt-ampernoj der Charakteristik S = 21 - 12; die Funktion der Rücksendung - von der Durchgangsleitungsfähigkeit = 1 werden Diese Parameter für die primären Parameter des Feldtransistors, der als der Vierpol verwendet wird verwendet. Wenn die primären Parameter des Vierpols für die Schemen mit der allgemeinen Quelle bestimmt sind, so kann man die Parameter für jedes Schema des Einschlusses des Feldtransistors rechnen.

In den mdp-Transistoren mit vom Kanal der durchführende Kanal zwischen von den Gebieten der Quelle und des Abflusses und, also der bemerkenswerte Strom des Abflusses erscheinen nur bei einer bestimmten Polarität und bei einer bestimmten Bedeutung der Anstrengung auf dem Verschluss bezüglich der Quelle (negativ beim r-Kanal und positiv bei der p-Kanal. Diese Anstrengung nennen Schwellen- (U.). Da das Erscheinen und die Größe der Leitungsfähigkeit des Kanals mit der Bereicherung von seinen Hauptladungsträgern verbunden sind, so meinen, dass der Kanal im Regime der Bereicherung arbeitet.